ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SSM3K37MFV,L3F, Транзистор N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
SSM3K37MFV,L3F, Транзистор N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
SSM3K37MFV,L3F, Транзистор N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
Последняя цена
140 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор Small-signal FET 0.25A 20V 12pF
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
SSM3K37MFV,L3F
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2147968
Технические параметры
Тип Транзистора
1 N-Channel
Вес, г
0.008
Ширина
0.8 mm
Конфигурация
Single
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
8000
Серия
SSM3K37
Торговая марка
Toshiba
Длина
1.2 mm
Высота
0.5 mm
Id - непрерывный ток утечки
250 mA
Pd - рассеивание мощности
150 mW
Vds - напряжение пробоя сток-исток
20 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
SOT-723-3
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Количество каналов
1 Channel
Технология
Si
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
2.2 Ohms
Vgs - напряжение затвор-исток
4.5 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
350 mV
Канальный режим
Enhancement
Типичное время задержки выключения
36 ns
Типичное время задержки при включении
18 ns
Техническая документация
Datasheet SSM3K37MFV.L3F , pdf
, 173 КБ
Datasheet SSM3K37MFV,L3F , pdf
, 177 КБ