ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SQJB80EP-T1_GE3, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 80 В, 30 А, 0.0155 Ом, PowerPAK SO, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
SQJB80EP-T1_GE3, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 80 В, 30 А, 0.0155 О…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SQJB80EP-T1_GE3, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 80 В, 30 А, 0.0155 Ом, PowerPAK SO, Surface Mount
Последняя цена
220 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Vishay
Артикул
SQJB80EP-T1_GE3
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1383027
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
175 C
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
PowerPAK SO
Рассеиваемая Мощность
48Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
80В
Непрерывный Ток Стока
30а
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0155Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
2В
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.186
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Линейка Продукции
TrenchFET Series
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Техническая документация
Datasheet SQJB80EP-T1_GE3 , pdf
, 225 КБ