ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SQJ200EP-T1_GE3, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 60 А, 0.0031 Ом, PowerPAK SO, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
SQJ200EP-T1_GE3, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 60 А, 0.0031 О…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SQJ200EP-T1_GE3, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 60 А, 0.0031 Ом, PowerPAK SO, Surface Mount
Последняя цена
200 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Vishay
Артикул
SQJ200EP-T1_GE3
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1382997
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
175 C
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
PowerPAK SO
Рассеиваемая Мощность
48Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
20В
Непрерывный Ток Стока
60А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0031Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
1.5В
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
2
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Линейка Продукции
TrenchFET Series
Техническая документация
Datasheet SQJ200EP-T1_GE3 , pdf
, 353 КБ