SPP80P06PHXKSA1, Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 232 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

Полевые МОП-транзисторы с P-каналом Infineon SIPMOS®
Малые сигнальные МОП-транзисторы с P-каналом SIPMOS ® имеют несколько функций, которые могут включать режим улучшения, непрерывный ток стока, -80А плюс широкий диапазон рабочих температур. Силовой транзистор SIPMOS может использоваться в различных приложениях, включая телекоммуникации, электронную мобильность, ноутбуки, устройства постоянного и постоянного тока, а также в автомобильной промышленности.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

SPP80P06PHXKSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1382525

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Максимальный непрерывный ток стока

80 А

Package Type

TO-220

Максимальное рассеяние мощности

340 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.57мм

Высота

15.95мм

Transistor Material

Кремний

Количество элементов на ИС

Brand

Infineon

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

23 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Pin Count

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Прямое напряжение диода

1.6V

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Длина

10.36мм

Серия

SIPMOS

Типичное время задержки выключения

56 нс

Тип корпуса

TO-220

Размеры

10.36 x 4.57 x 15.95мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

24 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

115 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

4026 пФ при -25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

80 А

Maximum Drain Source Resistance

23 мΩ

Channel Type

Прямая активная межэлектродная проводимость

36S

Минимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Техническая документация

Datasheet SPP80P06PHXKSA1 , pdf , 607 КБ

SPP80P06PHXKSA1, Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube - характеристики, поставщики

Последняя цена 232 руб.

Техническая документация