SPP21N50C3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 560В, 13,1А, 208Вт, PG-TO220-3 - характеристики, поставщики

SPP21N50C3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 560В, 13,1А, 208Вт, PG-TO220-3

Сравнить

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

SPP21N50C3

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2086844

Вес, г

2.03

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

21A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

208W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

500V

Vgs - Gate-Source Voltage

3.9V @ 1mA