SPP04N80C3, Транзистор N-МОП, полевой, 800В, 4А, 63Вт, TO220, CoolMOS™, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 240 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C3

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

SPP04N80C3

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2155999

Технические параметры

Вес, г

2.08

Тип корпуса

TO-220

Ширина

4.57мм

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Серия

CoolMOS C3

Длина

10.36мм

Высота

15.95мм

Размеры

10.36 x 4.57 x 15.95мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Производитель

Infineon

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

4 А

Максимальное рассеяние мощности

63 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Максимальное сопротивление сток-исток

1,3 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

570 пФ при 100 В

Тип канала

Типичное время задержки выключения

72 нс

Типичное время задержки включения

25 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

23 nC @ 10 V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

4A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

63W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

800V

Vgs - Gate-Source Voltage

3.9V @ 240uA

Maximum Gate Threshold Voltage

3.9V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 446 КБ

SPP04N80C3, Транзистор N-МОП, полевой, 800В, 4А, 63Вт, TO220, CoolMOS™ - характеристики, поставщики

Последняя цена 240 руб.

Техническая документация