SPD08P06P, Транзистор, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 160 руб.

Сравнить

Описание

Полевые МОП-транзисторы Infineon SIPMOS® с P-каналом
Малые сигнальные МОП-транзисторы с P-каналом SIPMOS® имеют несколько функций, которые могут включать режим улучшения, постоянный ток стока, иногда до -80 А, а также широкий диапазон рабочих температур. диапазон. Силовой транзистор SIPMOS может использоваться в различных приложениях, включая телекоммуникации, электронную мобильность, ноутбуки, устройства постоянного и постоянного тока, а также в автомобильной промышленности.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

SPD08P06P

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1816936

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Максимальный непрерывный ток стока

8,8 A

Максимальное рассеяние мощности

42 Вт

Тип монтажа

Surface Mount

Ширина

6.22мм

Высота

2.3мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

300 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

A, P

Длина

6.5мм

Серия

SIPMOS

Типичное время задержки выключения

48 нс

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Размеры

6.5 x 6.22 x 2.3мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

16 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

10 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

335 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

SPD08P06P, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 160 руб.