SPA16N50C3, Транзистор N-МОП, полевой, 500В 16A 34Вт 0,28Ом TO220-Fullpak - характеристики, поставщики

SPA16N50C3, Транзистор N-МОП, полевой, 500В 16A 34Вт 0,28Ом TO220-Fullpak

Последняя цена 470 руб.

SPA16N50C3, Транзистор N-МОП, полевой, 500В 16A 34Вт 0,28Ом TO220-Fullpak

Сравнить

Описание

Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C3

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

SPA16N50C3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1942643

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

2.25

Максимальный непрерывный ток стока

16 A

Максимальное рассеяние мощности

34 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.57мм

Высота

15.95мм

Количество элементов на ИС

1

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

280 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

500 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

N

Прямое напряжение диода

1.2V

Id - непрерывный ток утечки

16 A

Pd - рассеивание мощности

34 W

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

280 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

8 ns

Время спада

8 ns

Длина

10.36мм

Другие названия товара №

SP000216351 SPA16N50C3XKSA1 SPA16N5C3XK

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

500

Серия

CoolMOS C3

Технология

Si

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

50 ns

Типичное время задержки при включении

10 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TO-220FP-3

Упаковка

Tube

Тип корпуса

TO-220FP

Размеры

10.36 x 4.57 x 15.95мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

10 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

3.9V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Число контактов

3

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

66 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

1600 pF @ 25 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

16A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

34W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

280mО© @ 10A,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

560V

Vgs - Gate-Source Voltage

3.9V @ 675uA

Прямая активная межэлектродная проводимость

14с

Техническая документация

Datasheet , pdf , 724 КБ