SPA11N80C3, Транзистор силовой полевой TO-220 FULL PACK, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 510 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

SPA11N80C3

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2113781

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

2.2

Ширина

4.85 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

500

Серия

CoolMOS C3

Торговая марка

Infineon Technologies

Длина

10.65 mm

Высота

16.15 mm

Id - непрерывный ток утечки

11 A

Pd - рассеивание мощности

34 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

800 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220FP-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

450 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.1 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

64 nC

Время нарастания

15 ns

Время спада

10 ns

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Типичное время задержки выключения

72 ns

Типичное время задержки при включении

25 ns

Другие названия товара №

SP000216320 SPA11N8C3XK SPA11N80C3XKSA1

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

11A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

34W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

800V

Vgs - Gate-Source Voltage

3.9V @ 680uA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 301 КБ
Datasheet SPA11N80C3XKSA1 , pdf , 579 КБ

SPA11N80C3, Транзистор силовой полевой TO-220 FULL PACK - характеристики, поставщики

Последняя цена 510 руб.

Техническая документация