ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SPA08N80C3, MOSFET транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
SPA08N80C3, MOSFET транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
SPA08N80C3, MOSFET транзистор
Последняя цена
500 руб.
Сравнить
Описание
Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C3
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
SPA08N80C3
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
1804504
Технические параметры
Вес, г
2.155
Тип корпуса
TO-220FP
Ширина
4.85мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Transistor Configuration
Одинарный
Серия
CoolMOS C3
Длина
10.65мм
Высота
16.15мм
Размеры
10.65 x 4.85 x 16.15мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Производитель
Infineon
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Количество элементов на ИС
1
Максимальный непрерывный ток стока
8 A
Максимальное рассеяние мощности
40 W
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Максимальное сопротивление сток-исток
1.5 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
800 В
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1100 пФ при 100 В
Тип канала
N
Типичное время задержки выключения
72 ns
Типичное время задержки включения
25 ns
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
45 нКл при 10 В
Maximum Gate Threshold Voltage
3.9V
Техническая документация
Datasheet SPA08N80C3 , pdf
, 429 КБ