ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SP8M51FRATB, Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 100 В, 3 А, 0.12 Ом, SOP, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
SP8M51FRATB, Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 100 В, 3 А, 0.1…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SP8M51FRATB, Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 100 В, 3 А, 0.12 Ом, SOP, Surface Mount
Последняя цена
310 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы
МОП-транзистор Nch+Pch 100V Vds 3A 0.135Rds(on) 8.5Qg
Информация
Производитель
Rohm
Артикул
SP8M51FRATB
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1381572
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
sop
Рассеиваемая Мощность
2Вт
Полярность Транзистора
N и P Дополнение
Напряжение Истока-стока Vds
100В
Непрерывный Ток Стока
3А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.12Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
2.5В
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.05
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Id - непрерывный ток утечки
3 A, 2.5 A
Pd - рассеивание мощности
2 W
Qg - заряд затвора
8.5 nC, 12.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
120 mOhms, 210 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V, - 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
13 ns, 13 ns
Время спада
14 ns, 19 ns
Другие названия товара №
SP8M51FRA
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
Dual
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
2500
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel, 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
50 ns, 75 ns
Типичное время задержки при включении
13 ns, 15 ns
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка / блок
SOP-8
Квалификация
AEC-Q101
Техническая документация
Datasheet SP8M51FRATB , pdf
, 4293 КБ
