ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SMUN5235DW1T1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Двойной NPN, 50 В, 100 мА, 2.2 кОм, 47 кОм - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
SMUN5235DW1T1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Двойной NPN,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
SMUN5235DW1T1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Двойной NPN, 50 В, 100 мА, 2.2 кОм, 47 кОм
Последняя цена
78 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
SMUN5235DW1T1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1379455
Технические параметры
Количество Выводов
6 Выводов
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
50в
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.389
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Корпус РЧ Транзистора
SOT-363
Резистор На входе Базы R1
2.2кОм
Непрерывный Коллекторный Ток Ic
100мА
Соотношение Сопротивления, R1 / R2
0.047соотношение
Резистор База-эмиттер R2
47кОм
Полярность Цифрового Транзистора
Двойной NPN
Техническая документация
Datasheet SMUN5235DW1T1G , pdf
, 119 КБ