ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SMUN5233DW1T1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Двойной NPN, 50 В, 100 мА, 4.7 кОм, 47 кОм - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
SMUN5233DW1T1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Двойной NPN,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
SMUN5233DW1T1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Двойной NPN, 50 В, 100 мА, 4.7 кОм, 47 кОм
Последняя цена
78 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
SMUN5233DW1T1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1379454
Технические параметры
Количество Выводов
6 Выводов
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
50
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.03
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
No. of Pins
6 Pin
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
50
Корпус РЧ Транзистора
SOT-363
MSL
MSL 1 - Unlimited
Резистор На входе Базы R1
4.7
Непрерывный Коллекторный Ток Ic
100
Соотношение Сопротивления, R1 / R2
0.1
Резистор База-эмиттер R2
47
Полярность Цифрового Транзистора
Двойной NPN
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
RF Transistor Case
SOT-363
Base Input Resistor R1
4.7
Base-Emitter Resistor R2
47
Continuous Collector Current Ic
100
Digital Transistor Polarity
Dual NPN
Resistor Ratio, R1 / R2
0.1
Техническая документация
Datasheet SMUN5233DW1T1G , pdf
, 152 КБ