ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SMMBT2907ALT1G, Биполярный транзистор, PNP, -60 В, 200 МГц, 225 мВт, -600 мА, 50 hFE - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
SMMBT2907ALT1G, Биполярный транзистор, PNP, -60 В, 200 МГц, 225 мВт, -…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
SMMBT2907ALT1G, Биполярный транзистор, PNP, -60 В, 200 МГц, 225 мВт, -600 мА, 50 hFE
Последняя цена
19 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы общего назначения PNP, до 1 А, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
SMMBT2907ALT1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1814011
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
-60В
Стиль Корпуса Транзистора
sot-23
Рассеиваемая Мощность
225мВт
Полярность Транзистора
pnp
DC Ток Коллектора
-600мА
DC Усиление Тока hFE
50hFE
Частота Перехода ft
200МГц
Вес, г
0.04
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 83 КБ
Datasheet , pdf
, 153 КБ
Datasheet , pdf
, 81 КБ