SMBTA06UPNE6327, Транзистор NPN / PNP, биполярный, 80В, 500мА, 330мВт, SC74, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 37 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Комплементарные пары транзисторов

Биполярные транзисторы - BJT NPN / PNP Silicon AF TRANSISTOR ARRAY

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

SMBTA06UPNE6327

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2181696

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN, PNP

Вес, г

0.06

Pd - рассеивание мощности

330 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1 mm

Длина

2.9 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

1 A

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

80 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

80 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

4 V

Непрерывный коллекторный ток

500 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

SMBTA06

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

SC-74-6

Ширина

1.6 mm

Другие названия товара №

SMBTA6UPNE6327XT SP000012393 SMBTA06UPNE6327HTSA1

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.25 V

Техническая документация

Datasheet SMBTA 06UPN E6327 , pdf , 526 КБ

SMBTA06UPNE6327, Транзистор NPN / PNP, биполярный, 80В, 500мА, 330мВт, SC74 - характеристики, поставщики

Последняя цена 37 руб.

Техническая документация