SMBT2907AE6327HTSA1, Биполярный транзистор, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3.2 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

Транзисторы PNP общего назначения, Infineon

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

SMBT2907AE6327HTSA1

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1377880

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

PNP

Base Product Number

MBT2907A ->

Current - Collector (Ic) (Max)

600mA

Current - Collector Cutoff (Max)

10nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

200MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

330mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

60V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1,6 В

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

200 (Min.) MHz

Number of Elements per Chip

Length

2.9мм

Maximum Collector Base Voltage

60 V

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

Infineon

Maximum Collector Emitter Voltage

60 V

Package Type

SOT-23

Maximum Power Dissipation

330 мВт

Width

1.3мм

Maximum DC Collector Current

600 мА

Pin Count

Dimensions

2.9 x 1.3 x 0.9mm

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Minimum DC Current Gain

100

Pd - рассеивание мощности

330 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.9мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация

Single

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

60 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

60 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

600 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

SMBT2907

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

SOT-23-3

Другие названия товара №

SMBT 2907A E6327 SP000011181

Квалификация

AEC-Q101

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

200 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.6 V

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

2,6 В

Техническая документация

Datasheet SMBT2907AE6327HTSA1 , pdf , 534 КБ
Datasheet SMBT2907AE6327HTSA1 , pdf , 537 КБ

SMBT2907AE6327HTSA1, Биполярный транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 3.2 руб.

Техническая документация