SMBT2907AE6327, Транзистор PNP, биполярный, 60В, 600мА, 330мВт, SOT23, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 11 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD

Биполярные транзисторы - BJT AF GP BJT PNP 60V 0.6A

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

SMBT2907AE6327

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2147870

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.04

Pd - рассеивание мощности

330 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1 mm

Длина

2.9 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация

Single

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

60 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

60 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

600 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

SMBT2907

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.3 mm

Другие названия товара №

SMBT2907AE6327HTSA1 SMBT297AE6327XT SP000011181

Квалификация

AEC-Q101

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

200 MHz

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.6 V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 535 КБ

SMBT2907AE6327, Транзистор PNP, биполярный, 60В, 600мА, 330мВт, SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 11 руб.

Техническая документация