ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SM3337PSQGC-TRG, Транзистор MOSFET [DFN3x3D-8_EP] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Sinopower
SM3337PSQGC-TRG, Транзистор MOSFET [DFN3x3D-8_EP]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SM3337PSQGC-TRG, Транзистор MOSFET [DFN3x3D-8_EP]
Последняя цена
34 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Sinopower
Артикул
SM3337PSQGC-TRG
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1744794
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
32A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
29.8W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance
19mО© @ 10.5A,10V
Transistor Polarity
P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30V
Vgs - Gate-Source Voltage
2.3V @ 250uA
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 160 КБ