ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SKM400GAL12E4, Модуль IGBT - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Semikron Elektronik
SKM400GAL12E4, Модуль IGBT
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
SKM400GAL12E4, Модуль IGBT
Последняя цена
20190 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
Модули с одиночным IGBT
SEMIKRON предлагает модули IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусах SEMITRANS, SEMiX и SEMITOP с различными топологиями, номинальными токами и напряжениями.
Информация
Производитель
Semikron Elektronik
Артикул
SKM400GAL12E4
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1375159
Технические параметры
Производитель
Semikron
Тип корпуса
SEMITRANS3
Тип монтажа
Монтаж на панель
Transistor Configuration
Одинарный
Длина
106.4мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
618 A
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Высота
30.5мм
Число контактов
5
Размеры
106.4 x 61.4 x 30.5мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип канала
N
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Ширина
61.4мм
Конфигурация
Одинарный