SIS903DN-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, P Канал, 20 В, 6 А, 0.0167 Ом, PowerPAK 1212, Surface Mount, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

Производитель

Vishay

Артикул

SIS903DN-T1-GE3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1374706

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

PowerPAK 1212

Рассеиваемая Мощность

23Вт

Полярность Транзистора

P Канал

Напряжение Истока-стока Vds

20В

Непрерывный Ток Стока

6А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.0167Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

4.5В

Пороговое Напряжение Vgs

1В

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.5

Линейка Продукции

TrenchFET Gen III Series

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

SIS903DN-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, P Канал, 20 В, 6 А, 0.0167 Ом, PowerPAK 1212, Surface Mount - характеристики, поставщики