SIS406DN-T1-GE3 транзистор, N-Channel MOSFET, 9 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 120 руб.

Сравнить

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SIS406DN-T1-GE3 транзистор

P/N

SIS406DN-T1-GE3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1743161

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

9 А

Максимальное рассеяние мощности

1,5 Вт

Тип монтажа

Surface Mount

Ширина

3.05

Высота

1.04мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

11 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

3.05

Типичное время задержки выключения

25 ns

Тип корпуса

PowerPAK 1212

Размеры

3.05 x 3.05 x 1.04мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

20 ns

Производитель

Vishay

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

18,2 нКл при 10 В, 8,4 нКл при 4,5 В

Типичная входная емкость при Vds

1100 пФ при 15 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Техническая документация

Datasheet , pdf , 541 КБ

SIS406DN-T1-GE3 транзистор, N-Channel MOSFET, 9 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212 - характеристики, поставщики

Последняя цена 120 руб.

Техническая документация