SIRA90DP-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 30 В, 650 мкОм, 10 В, 2 В, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 260 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

МОП-транзистор 30V Vds 100A Id Qg 48nC Typ.

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SIRA90DP-T1-GE3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1374683

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

PowerPAK SO

Рассеиваемая Мощность

104Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

30В

Непрерывный Ток Стока

100А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

650мкОм

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

2В

Линейка Продукции

TrenchFET Series

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

100 A

Pd - рассеивание мощности

104 W

Qg - заряд затвора

153 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

650 uOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Vgs - напряжение затвор-исток

16 V, 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

800 mV

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

16 ns

Время спада

10 ns

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

TrenchFET, PowerPAK

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

110 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

SIR

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

46 ns

Типичное время задержки при включении

15 ns

Торговая марка

Vishay / Siliconix

Упаковка / блок

PowerPAK-SO-8

Техническая документация

Datasheet SIRA90DP-T1-GE3 , pdf , 383 КБ
Datasheet SIRA90DP-T1-GE3 , pdf , 383 КБ

SIRA90DP-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 30 В, 650 мкОм, 10 В, 2 В - характеристики, поставщики

Последняя цена 260 руб.

Техническая документация