SIHP8N50D-GE3, MOSFET N-CH 500V 8.7A LOW CAP. TO220AB, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 150 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный полевой МОП-транзистор, серия D, высокое напряжение, Vishay Semiconductor

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SIHP8N50D-GE3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1814726

Технические параметры

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

8,7 А

Transistor Material

Кремний

Количество элементов на ИС

Brand

Vishay

Typical Gate Charge @ Vgs

15 нКл при 10 В

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-30 В, +30 В

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Длина

10.51мм

Серия

D Series

Тип корпуса

TO-220AB

Transistor Configuration

Одинарный

Число контактов

Maximum Power Dissipation

156 Вт

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4.65мм

Height

9.01мм

Maximum Drain Source Resistance

850 мΩ

Maximum Drain Source Voltage

500 В

Channel Mode

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

SIHP8N50D-GE3, MOSFET N-CH 500V 8.7A LOW CAP. TO220AB - характеристики, поставщики

Последняя цена 150 руб.