ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SIHP22N60E-GE3, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
SIHP22N60E-GE3, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SIHP22N60E-GE3, Транзистор
Последняя цена
563 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
Информация
Производитель
Vishay
Артикул
SIHP22N60E-GE3
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1744458
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
6
Минимальная рабочая температура
55 C
Id - непрерывный ток утечки
21 A
Pd - рассеивание мощности
227 W
Qg - заряд затвора
57 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
180 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
4 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
27 ns
Время спада
35 ns
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
E
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Типичное время задержки выключения
66 ns
Типичное время задержки при включении
18 ns
Торговая марка
Vishay / Siliconix
Упаковка / блок
TO-220-3
Упаковка
Tube
Техническая документация
Datasheet SIHP22N60E-GE3 , pdf
, 299 КБ
Datasheet , pdf
, 295 КБ
Datasheet SIHP22N60E-GE3 , pdf
, 167 КБ
Datasheet , pdf
, 293 КБ