SIHP065N60E-GE3 транзистор, N-Channel MOSFET, 40 A, 600 V, 3 + Tab-Pin TO-220AB, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 780 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзисторы с N-каналом, серия E, низкая добротность, Vishay Semiconductor
Силовые МОП-транзисторы серии E от Vishay - это высоковольтные транзисторы со сверхнизким максимальным сопротивлением в открытом состоянии и низким показателем. достоинств и быстрого переключения. Они доступны в широком диапазоне значений тока. Типичные приложения включают в себя серверы и источники питания для телекоммуникаций, светодиодное освещение, обратные преобразователи, коррекцию коэффициента мощности (PFC) и импульсные источники питания (SMPS).

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SIHP065N60E-GE3 транзистор

P/N

SIHP065N60E-GE3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1742926

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Package Type

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.65mm

Высота

15.49mm

Количество элементов на ИС

Length

10.51mm

Brand

Vishay

Series

E Series

Максимальное сопротивление сток-исток

65 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Pin Count

3 + Tab

Тип канала

Transistor Configuration

Одинарный

Minimum Gate Threshold Voltage

Типичный заряд затвора при Vgs

49 nC @ 10 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Maximum Continuous Drain Current

40 А

Maximum Power Dissipation

250 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Channel Mode

Поднятие

Forward Diode Voltage

1.2V

Максимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

Datasheet SIHP065N60E-GE3 , pdf , 130 КБ

SIHP065N60E-GE3 транзистор, N-Channel MOSFET, 40 A, 600 V, 3 + Tab-Pin TO-220AB - характеристики, поставщики

Последняя цена 780 руб.

Техническая документация