SIHLL110TR-GE3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 0,93А, 3,1Вт, SOT223, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 180 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор 100V Vds 20V Vgs SOT-223

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SIHLL110TR-GE3

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2181941

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.12

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Торговая марка

Vishay / Siliconix

Id - непрерывный ток утечки

1.5 A

Pd - рассеивание мощности

3.1 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

0.57 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SOT-223-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

540 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V, + 10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

6.1 nC

Время нарастания

47 ns

Время спада

18 ns

Типичное время задержки выключения

16 ns

Типичное время задержки при включении

9.3 ns

Техническая документация

Datasheet SIHLL110TR-GE3 , pdf , 356 КБ

SIHLL110TR-GE3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 0,93А, 3,1Вт, SOT223 - характеристики, поставщики

Последняя цена 180 руб.

Техническая документация