SIHG47N60E-GE3, Транзистор, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1030 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзисторы с N-каналом, серия E, низкая добротность, Vishay Semiconductor
Силовые МОП-транзисторы серии E от Vishay - это высоковольтные транзисторы со сверхнизким максимальным сопротивлением в открытом состоянии и низким показателем. достоинств и быстрого переключения. Они доступны в широком диапазоне значений тока. Типичные приложения включают в себя серверы и источники питания для телекоммуникаций, светодиодное освещение, обратные преобразователи, коррекцию коэффициента мощности (PFC) и импульсные источники питания (SMPS).

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SIHG47N60E-GE3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1806190

Технические параметры

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

TO-247AC

Transistor Material

Length

15.87mm

Brand

Vishay

Series

E Series

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

147 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Through Hole

Transistor Configuration

Single

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

47 A

Maximum Power Dissipation

357 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

5.31mm

Height

20.7mm

Maximum Drain Source Resistance

64 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Техническая документация

Datasheet , pdf , 192 КБ
Datasheet SIHG47N60E-GE3 , pdf , 204 КБ

SIHG47N60E-GE3, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 1030 руб.

Техническая документация