SiHG33N60EF-GE3 транзистор, N-Channel MOSFET, 33 A, 600 V, 3-Pin TO-247AC, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 810 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный полевой МОП-транзистор с быстрым диодом, серия EF, Vishay Semiconductor

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SiHG33N60EF-GE3 транзистор

P/N

SiHG33N60EF-GE3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1812464

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Package Type

TO-247AC

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Высота

20.82мм

Transistor Material

Кремний

Количество элементов на ИС

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Vishay

Series

EF Series

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

98 мΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

103 нКл при 10 В

Тип канала

Прямое напряжение диода

1.2V

Длина

15.87мм

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Maximum Continuous Drain Current

33 А

Maximum Power Dissipation

278 Вт

Width

5.31мм

Maximum Drain Source Voltage

600 В

Channel Mode

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

SiHG33N60EF-GE3 транзистор, N-Channel MOSFET, 33 A, 600 V, 3-Pin TO-247AC - характеристики, поставщики

Последняя цена 810 руб.