SIHB23N60E-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 23 А, 600 В, 0.132 Ом, 10 В, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 710 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

МОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SIHB23N60E-GE3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1374376

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-263

Рассеиваемая Мощность

227Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

600в

Непрерывный Ток Стока

23А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.132Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Ширина

9.65 mm

Высота

4.83 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

23 A

Pd - рассеивание мощности

227 W

Qg - заряд затвора

63 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

158 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

650 V

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

4 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

38 ns

Время спада

34 ns

Длина

10.67 mm

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

Технология

Тип продукта

MOSFET

Типичное время задержки выключения

66 ns

Типичное время задержки при включении

22 ns

Торговая марка

Vishay / Siliconix

Упаковка / блок

TO-263-3

Упаковка

Bulk

Техническая документация

Datasheet SIHB23N60E-GE3 , pdf , 216 КБ
Datasheet SIHB23N60E-GE3 , pdf , 210 КБ

SIHB23N60E-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 23 А, 600 В, 0.132 Ом, 10 В - характеристики, поставщики

Последняя цена 710 руб.

Техническая документация