SIA906EDJ-T1-GE3, Транзистор N-CH 20V 4.5A, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 105 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный MOSFET, от 8 до 25 В, Vishay Semiconductor

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SIA906EDJ-T1-GE3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1815069

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

4.5 A

Максимальное рассеяние мощности

7,8 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

2.15мм

Высота

0.8

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

63 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

20 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

2.15мм

Типичное время задержки выключения

15 ns

Тип корпуса

SC-70

Размеры

2.15 x 2.15 x 0.8мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

10 ns

Производитель

Vishay

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

7,5 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

350 пФ при 10 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Техническая документация

Datasheet SIA906EDJ-T1-GE3 , pdf , 295 КБ
Datasheet SIA906EDJ-T1-GE3 , pdf , 296 КБ

SIA906EDJ-T1-GE3, Транзистор N-CH 20V 4.5A - характеристики, поставщики

Последняя цена 105 руб.

Техническая документация