SI7949DP-T1-E3, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -3.2 А, -60 В, 0.051 Ом, -10 В, -3 В, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 300 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы

SI7949DP-T1-E3 - это двойной P-канальный MOSFET, размещенный в корпусе для поверхностного монтажа.

• Силовой полевой МОП-транзистор TrenchFET®
• Новый корпус PowerPAK® с низким термическим сопротивлением и низким профилем 1,07 мм

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SI7949DP-T1-E3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1374094

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

PowerPAK

Рассеиваемая Мощность

1.5Вт

Полярность Транзистора

Двойной P Канал

Напряжение Истока-стока Vds

-60В

Непрерывный Ток Стока

-3.2А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.051Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

-10В

Пороговое Напряжение Vgs

-3В

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

PowerPAK SO

Ширина

5.15 mm

Высота

1.04 mm

Transistor Material

Length

6.25mm

Brand

Vishay

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

34 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Surface Mount

Вид монтажа

SMD/SMT

Длина

6.15 mm

Другие названия товара №

SI7949DP-E3

Категория продукта

МОП-транзистор

Коммерческое обозначение

TrenchFET

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

SI7

Технология

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

Vishay / Siliconix

Упаковка / блок

PowerPAK-SO-8

Transistor Configuration

Single

Minimum Gate Threshold Voltage

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

3.2A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

1.5W

Rds On - Drain-Source Resistance

64mО© @ 5A,10V

Transistor Polarity

2 P Channel(Double)

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60V

Vgs - Gate-Source Voltage

3V @ 250uA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

12.5 A

Maximum Power Dissipation

5.2 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

5.26mm

Height

1.12mm

Maximum Drain Source Resistance

16.5 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Configuration

Dual Dual Drain

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant

Lead Shape

No Lead

Maximum Continuous Drain Current (A)

3.2

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

64@10V

Maximum Drain Source Voltage (V)

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Maximum Power Dissipation (mW)

3500

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Mounting

Surface Mount

Packaging

Tape and Reel

Part Status

Active

PCB changed

Product Category

Power MOSFET

Supplier Package

PowerPAK SO

HTS

8541.29.00.95

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

26@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

Automotive

Military

Package Height

1.07(Max)

Package Length

4.9

Package Width

5.89

Process Technology

TrenchFET

Maximum Gate Threshold Voltage (V)

Maximum Gate Source Leakage Current (nA)

100

Maximum IDSS (uA)

Техническая документация

Datasheet SI7949DP-T1-E3 , pdf , 298 КБ
Datasheet SI7949DP-T1-E3 , pdf , 312 КБ
Datasheet SI7949DP-T1-E3 , pdf , 302 КБ
Datasheet SI7949DP-T1-E3 , pdf , 301 КБ

SI7949DP-T1-E3, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -3.2 А, -60 В, 0.051 Ом, -10 В, -3 В - характеристики, поставщики

Последняя цена 300 руб.

Техническая документация