ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SI7223DN-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 6 А, 0.022 Ом, PowerPAK 1212, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
SI7223DN-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 6 А, 0.022 Ом,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SI7223DN-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 6 А, 0.022 Ом, PowerPAK 1212, Surface Mount
Последняя цена
180 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы
МОП-транзистор -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
Информация
Производитель
Vishay
Артикул
SI7223DN-T1-GE3
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1374061
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
PowerPAK 1212
Рассеиваемая Мощность
23Вт
Полярность Транзистора
P Канал
Напряжение Истока-стока Vds
30В
Непрерывный Ток Стока
6А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.022Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
2.5В
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.272
Линейка Продукции
TrenchFET Gen III Series
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Минимальная рабочая температура
55 C
Id - непрерывный ток утечки
6 A
Pd - рассеивание мощности
23 W
Qg - заряд затвора
26.3 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
26.4 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
7 ns
Время спада
8 ns
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
Dual
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
20 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
2 P-Channel
Типичное время задержки выключения
42 ns
Типичное время задержки при включении
12 ns
Торговая марка
Vishay / Siliconix
Упаковка / блок
PowerPAK-1212-8
Техническая документация
Datasheet SI7223DN-T1-GE3 , pdf
, 183 КБ
Datasheet SI7223DN-T1-GE3 , pdf
, 182 КБ