SI7129DN-T1-GE3, Транзистор MOSFET P-CH 30В 35А [PowerPAK 1212-8], Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 170 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор с каналом P, от 30 до 80 В, Vishay Semiconductor

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SI7129DN-T1-GE3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1374015

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.2

Максимальный непрерывный ток стока

11,5 А

Максимальное рассеяние мощности

52,1 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

3.15мм

Высота

1.07мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-50 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

20 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

3.15мм

Типичное время задержки выключения

36 нс

Тип корпуса

PowerPAK 1212

Размеры

3.15 x 3.15 x 1.07мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

50 нс

Производитель

Vishay

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

47.5 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

2230 пФ при -15 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

si7129dn , pdf , 611 КБ
Datasheet SI7129DN-T1-GE3 , pdf , 563 КБ
Datasheet SI7129DN-T1-GE3 , pdf , 562 КБ

SI7129DN-T1-GE3, Транзистор MOSFET P-CH 30В 35А [PowerPAK 1212-8] - характеристики, поставщики

Последняя цена 170 руб.

Техническая документация