SI4925BDY-T1-E3, Транзистор 2P-Ch 30V 5.3A 1.1W [SOIC-8], Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 381 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор 30 Volt 7.1 Amp 2.0W

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SI4925BDY-T1-E3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1804930

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

P-Channel

Вес, г

0.15

Ширина

3.9 mm

Высота

1.75 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

7.1 A

Pd - рассеивание мощности

2 W

Qg - заряд затвора

50 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

25 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

12 ns

Время спада

34 ns

Длина

4.9 mm

Другие названия товара №

SI4925BDY-T1

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

2 Channel

Коммерческое обозначение

TrenchFET

Конфигурация

Dual

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

20 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

SI4

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

2 P-Channel

Типичное время задержки выключения

60 ns

Типичное время задержки при включении

9 ns

Торговая марка

Vishay Semiconductors

Упаковка / блок

SO-8

Техническая документация

Datasheet SI4925BDY-T1-E3 , pdf , 184 КБ
Datasheet SI4925BDY-T1-E3 , pdf , 182 КБ
Datasheet SI4925BDY-T1-E3 , pdf , 182 КБ

SI4925BDY-T1-E3, Транзистор 2P-Ch 30V 5.3A 1.1W [SOIC-8] - характеристики, поставщики

Последняя цена 381 руб.

Техническая документация