SI4840BDY-T1-E3, MOSFET, N, SO-8, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 204 руб.

Сравнить

Описание

SI4840BDY-T1-E3 - это N-канальный полевой МОП-транзистор TrenchFET® мощностью 40 В с рассеиваемой мощностью 6 Вт. Подходит для синхронного выпрямления.

• 100% Rg протестировано
• 100% протестировано UIS
• Не содержит галогенов

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SI4840BDY-T1-E3

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1807072

Технические параметры

Вес, г

0.907

Channel Type

Pin Count

Configuration

Single Quad Drain Triple Source

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Lead Shape

Gull-wing

Package Length

5(Max)

Package Width

4(Max)

PCB changed

Package Height

1.55(Max)

Mounting

Surface Mount

Maximum Drain Source Voltage (V)

Maximum Power Dissipation (mW)

2500

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Supplier Package

SOIC N

Standard Package Name

SOP

Military

Process Technology

TrenchFET

Number of Elements per Chip

Channel Mode

Enhancement

Product Category

Power MOSFET

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Continuous Drain Current (A)

12.4

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

9@10V

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

33@10V|15@4.5V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

2000@20V

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

12|15

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

25|30

Typical Turn-On Delay Time (ns)

25|10

Техническая документация

Datasheet , pdf , 217 КБ
Datasheet , pdf , 239 КБ
Datasheet , pdf , 218 КБ

SI4840BDY-T1-E3, MOSFET, N, SO-8 - характеристики, поставщики

Последняя цена 204 руб.

Техническая документация