SI4488DY-T1-E3, транзистор, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 120 руб.

Сравнить

Описание

транзисторы полевые импортные

МОП-транзистор 150V Vds 20V Vgs SO-8

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SI4488DY-T1-E3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1948558

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Минимальная рабочая температура

55 C

Структура

n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

150

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

3.1

Корпус

so8

Id - непрерывный ток утечки

5 A

Pd - рассеивание мощности

3.1 W

Qg - заряд затвора

36 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

50 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

150 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Другие названия товара №

SI4488DY-E3

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

TrenchFET

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

SI4

Технология

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

Vishay Semiconductors

Упаковка / блок

SO-8

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

3.5A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

1.56W

Rds On - Drain-Source Resistance

50mО© @ 5A,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

150V

Vgs - Gate-Source Voltage

2V @ 250uAпј€Minпј‰

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм

Температура, С

-55…+150

Техническая документация

Datasheet SI4488DY-T1-E3 , pdf , 164 КБ
Datasheet , pdf , 165 КБ

SI4488DY-T1-E3, транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 120 руб.

Техническая документация