ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SI4435DY, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
SI4435DY, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SI4435DY, Транзистор
Последняя цена
250 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзисторы PowerTrench® с P-каналом, Fairchild Semiconductor
МОП-транзисторы PowerTrench® - это оптимизированные переключатели мощности, которые обеспечивают повышение эффективности системы и удельной мощности. Они сочетают в себе малый заряд затвора (Qg), малый заряд обратного восстановления (Qrr) и мягкий диод обратного восстановления, что способствует быстрому переключению синхронного выпрямления в источниках питания переменного / постоянного тока.
В новейших полевых МОП-транзисторах PowerTrench® используется экранированный затвор. структура, обеспечивающая баланс заряда. Благодаря использованию этой передовой технологии FOM (показатель качества) этих устройств значительно ниже, чем у предыдущих поколений.
Характеристики мягких диодов полевых МОП-транзисторов PowerTrench® позволяют исключить демпфирующие цепи или заменить полевые МОП-транзисторы с более высоким номинальным напряжением. .
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
SI4435DY
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1805200
Технические параметры
Вес, г
0.215
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Package Type
SOIC
Transistor Material
Si
Length
4.9mm
Brand
ON Semiconductor
Series
PowerTrench
Pin Count
8
Typical Gate Charge @ Vgs
17 nC @ 5 V
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Mounting Type
Surface Mount
Transistor Configuration
Single
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
8.8 A
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
3.9mm
Height
1.57mm
Maximum Drain Source Resistance
35 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Forward Diode Voltage
1.2V
Техническая документация
Datasheet SI4435DY , pdf
, 291 КБ
Datasheet SI4435DY , pdf
, 193 КБ
Datasheet SI4435DY , pdf
, 237 КБ
