SI2371EDS-T1-GE3, Trans MOSFET P-CH 30V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 12 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

МОП-транзистор -30V Vds 12V Vgs SOT-23

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SI2371EDS-T1-GE3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2411852

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

P-Channel

Series

TrenchFETВ® ->

Минимальная рабочая температура

55 C

Base Product Number

SI2371 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

4.8A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

P-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power Dissipation (Max)

1W (Ta), 1.7W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 3.7A, 10V

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±12V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

4.8 A

Pd - рассеивание мощности

1.7 W

Qg - заряд затвора

22.8 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

45 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

600 mV

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

8 ns

Время спада

52 ns

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

TrenchFET

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

SI2

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 P-Channel

Типичное время задержки выключения

52 ns

Типичное время задержки при включении

28 ns

Торговая марка

Vishay Semiconductors

Упаковка / блок

SOT-23-3

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

4.8A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

P Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30V

Vgs - Gate-Source Voltage

1.5V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet SI2371EDS-T1-GE3 , pdf , 220 КБ
Datasheet , pdf , 218 КБ
Datasheet SI2371EDS-T1-GE3 , pdf , 183 КБ

SI2371EDS-T1-GE3, Trans MOSFET P-CH 30V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R - характеристики, поставщики

Последняя цена 12 руб.

Техническая документация