ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SI2328DS-T1-E3, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
SI2328DS-T1-E3, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SI2328DS-T1-E3, Транзистор
Последняя цена
43 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный МОП-транзистор, от 100 до 150 В, Vishay Semiconductor
Информация
Производитель
Vishay
Артикул
SI2328DS-T1-E3
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1804843
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.04
Максимальный непрерывный ток стока
1.15 A
Максимальное рассеяние мощности
730 мВт
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
1.4мм
Высота
1.02мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
250 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
3.04мм
Типичное время задержки выключения
9 нс
Тип корпуса
TO-126
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.02мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
7 ns
Производитель
Vishay
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
3,3 нКл при 10 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В