SI2305CDS-T1-GE3, Транзистор 20V 5A 35m 10V,5.1A 2.5W 1.5V 250uA 155pF 10V P Channel 835pF 10V 6.4nC 2.5V [SOT-23-3], Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 136 руб.

Сравнить

Описание

SI2305CDS-T1-GE3 - это силовой полевой МОП-транзистор TrenchFET® с P-каналом с P-каналом 8VDS, подходящий для переключателей нагрузки и преобразователей постоянного тока.

• 100% Rg протестировано
• Диапазон рабочих температур от -55 до 150 ° C
• Без галогенов

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SI2305CDS-T1-GE3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1808227

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.04

Максимальный непрерывный ток стока

4.4 A

Максимальное рассеяние мощности

960 мВт

Тип монтажа

Surface Mount

Ширина

1.4мм

Высота

1.02мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

35 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

8 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

A, P

Длина

3.04мм

Типичное время задержки выключения

40 нс

Тип корпуса

SOT-23

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.02мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

20 ns

Производитель

Vishay

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

12 нКл при 4,5 В, 20 нКл при 8 В

Типичная входная емкость при Vds

960 пФ при 4 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Техническая документация

Datasheet SI2305CDS-T1-GE3 , pdf , 224 КБ

SI2305CDS-T1-GE3, Транзистор 20V 5A 35m 10V,5.1A 2.5W 1.5V 250uA 155pF 10V P Channel 835pF 10V 6.4nC 2.5V [SOT-23-3] - характеристики, поставщики

Последняя цена 136 руб.

Техническая документация