SI2303CDS-T1-GE3, Транзистор, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 25 руб.

Сравнить

Описание

SI2303CDS-T1-GE3 - это силовой полевой МОП-транзистор TrenchFET® с P-каналом 30VDS и P-каналом, подходящий для приложений переключения нагрузки.

• 100% Rg проверено
• 100% проверено UIS
• Без галогенов
• От -55 до 150 ° C Диапазон рабочих температур

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SI2303CDS-T1-GE3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1808130

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.408

Максимальный непрерывный ток стока

1.9 A

Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

Тип монтажа

Surface Mount

Ширина

1.4мм

Высота

1.02мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

190 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

A, P

Длина

3.04мм

Типичное время задержки выключения

12 ns

Тип корпуса

SOT-23

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.02мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

36 ns

Производитель

Vishay

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

2 нКл при 4,5 В, 4 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

155 пФ при 15 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet , pdf , 234 КБ
Datasheet SI2303CDS-T1-GE3 , pdf , 228 КБ
Datasheet SI2303CDS-T1-GE3 , pdf , 131 КБ

SI2303CDS-T1-GE3, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 25 руб.

Техническая документация