SI2301CDS-T1-E3, Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 14 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

• Без галогенов в соответствии с определением IEC 61249-2-21

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SI2301CDS-T1-E3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2411079

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

P-Channel

Brand

Vishay

Series

TrenchFETВ® ->

Минимальная рабочая температура

55 C

Pin Count

Base Product Number

SI2301 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

3.1A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

ECCN

EAR99

FET Type

P-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

405pF @ 10V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power Dissipation (Max)

860mW (Ta), 1.6W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

112mOhm @ 2.8A, 4.5V

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3 (TO-236)

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±8V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

3.1 A

Pd - рассеивание мощности

1.6 W

Qg - заряд затвора

10 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

112 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

20 V

Vgs - напряжение затвор-исток

4.5 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

400 mV

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

35 ns

Время спада

10 ns

Другие названия товара №

SI2301CDS-E3

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

TrenchFET

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

9.5 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

SI2

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 P-Channel

Типичное время задержки выключения

30 ns

Типичное время задержки при включении

11 ns

Торговая марка

Vishay / Siliconix

Упаковка / блок

SOT-23-3

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

3.1A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

1.6W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

112mО© @ 2.8A,4.5V

Transistor Polarity

P Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

20V

Vgs - Gate-Source Voltage

1V @ 250uA

Number of Elements per Chip

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Configuration

Single

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant

Lead Shape

Gull-wing

Maximum Continuous Drain Current (A)

3.1

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

112 4.5V

Maximum Drain Source Voltage (V)

Maximum Gate Source Voltage (V)

±8

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Maximum Power Dissipation (mW)

860

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Mounting

Surface Mount

Packaging

Tape and Reel

Part Status

Active

PCB changed

Product Category

Power MOSFET

Standard Package Name

SOT

Supplier Package

SOT-23

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

405 10V

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

Process Technology

TrenchFET

Maximum Gate Threshold Voltage (V)

Maximum Gate Source Leakage Current (nA)

100

Maximum IDSS (uA)

Typical Reverse Recovery Time (ns)

Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)

Typical Gate Plateau Voltage (V)

1.6

Typical Diode Forward Voltage (V)

0.8

Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25°C (W)

0.86

Maximum Positive Gate Source Voltage (V)

Maximum Diode Forward Voltage (V)

1.2

Maximum Continuous Drain Current on PCB @ TC=25°C (A)

2.3

Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W)

175

Operating Junction Temperature (°C)

-55 to 150

Typical Gate to Drain Charge (nC)

1.3

Typical Gate to Source Charge (nC)

0.7

Typical Reverse Recovery Charge (nC)

Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)

55 10V

Minimum Gate Threshold Voltage (V)

0.4

Typical Output Capacitance (pF)

Техническая документация

Datasheet , pdf , 194 КБ
Datasheet SI2301CDS-T1-E3 , pdf , 165 КБ
Datasheet SI2301CDS-T1-E3 , pdf , 200 КБ
Datasheet , pdf , 198 КБ
Datasheet , pdf , 161 КБ

SI2301CDS-T1-E3, Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R - характеристики, поставщики

Последняя цена 14 руб.

Техническая документация