ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SI2300DS-T1-GE3, Транзистор N-CH 30V 3.6A [SOT-23-3] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
SI2300DS-T1-GE3, Транзистор N-CH 30V 3.6A [SOT-23-3]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SI2300DS-T1-GE3, Транзистор N-CH 30V 3.6A [SOT-23-3]
Последняя цена
26 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор 30V Vds 12V Vgs SOT-23
Информация
Производитель
Vishay
Артикул
SI2300DS-T1-GE3
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1791121
Технические параметры
Вес, г
0.05
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
3.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.068 Ом/2.9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
1.7
Крутизна характеристики, S
13
Корпус
SOT-23-3
Техническая документация
si2300ds , pdf
, 120 КБ
Datasheet SI2300DS-T1-GE3 , pdf
, 202 КБ
Datasheet SI2300DS-T1-GE3 , pdf
, 238 КБ
Datasheet SI2300DS-T1-GE3 , pdf
, 236 КБ