ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SI1926DL-T1-E3, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 370 мА, 1.4 Ом, SOT-363, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
SI1926DL-T1-E3, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 370 мА, 1.4 Ом,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SI1926DL-T1-E3, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 370 мА, 1.4 Ом, SOT-363, Surface Mount
Последняя цена
55 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы
МОП-транзистор 60V Vds 20V Vgs SC70-6
Информация
Производитель
Vishay
Артикул
SI1926DL-T1-E3
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1373883
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
6вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-363
Рассеиваемая Мощность
510мВт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
60В
Непрерывный Ток Стока
370мА
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
1.4Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
2.5В
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.12
Линейка Продукции
TrenchFET Series
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Ширина
1.25 mm
Высота
1 mm
Минимальная рабочая температура
55 C
Id - непрерывный ток утечки
370 mA
Pd - рассеивание мощности
510 mW
Qg - заряд затвора
0.9 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1.4 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
12 ns
Время спада
14 ns
Длина
2.1 mm
Другие названия товара №
SI1926DL-E3
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
2 Channel
Коммерческое обозначение
TrenchFET
Конфигурация
Dual
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
159 mS
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
SI1
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
2 N-Channel
Типичное время задержки выключения
13 ns
Типичное время задержки при включении
6.5 ns
Торговая марка
Vishay / Siliconix
Упаковка / блок
SOT-363-6
Техническая документация
Datasheet SI1926DL-T1-E3 , pdf
, 250 КБ
Datasheet , pdf
, 248 КБ