SI1302DL-T1-E3, МОП-транзистор, N Канал, 640 мА, 30 В, 0.41 Ом, 10 В, 1 В, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 81 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

SI1302DL-T1-E3 - это силовой полевой МОП-транзистор TrenchFET® с N-канальным режимом расширения 30VDS и антипараллельным диодом.

• от -55 до 150 ° C Диапазон рабочих температур

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SI1302DL-T1-E3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1373873

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

sc-70

Рассеиваемая Мощность

310мВт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

30В

Непрерывный Ток Стока

640мА

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.41Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

1В

Вес, г

0.1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

600 mA

Package Type

SOT-323 (SC-70)

Максимальное рассеяние мощности

280 mW

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.35мм

Высота

1мм

Transistor Material

Кремний

Количество элементов на ИС

Length

2.2мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Vishay

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

480 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Длина

2.2мм

Типичное время задержки выключения

8 нс

Тип корпуса

SOT-323 (SC-70)

Размеры

2.2 x 1.35 x 1мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

5 нс

Производитель

Vishay

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

0,86 нКл при 10 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

600mA

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

280mW

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30V

Vgs - Gate-Source Voltage

3V @ 250uA

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

1.35мм

Height

1мм

Maximum Drain Source Resistance

480 мΩ

Maximum Drain Source Voltage

30 В

Channel Type

Минимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

Datasheet SI1302DL-T1-E3 , pdf , 213 КБ
Datasheet , pdf , 218 КБ

SI1302DL-T1-E3, МОП-транзистор, N Канал, 640 мА, 30 В, 0.41 Ом, 10 В, 1 В - характеристики, поставщики

Последняя цена 81 руб.

Техническая документация