SI1022R-T1-GE3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,24А, 0,13Вт, SC75A
• Защита от электростатического разряда 2000 В • Низкое сопротивление в открытом состоянии • Низкое пороговое значение • Высокая скорость переключения 25 нс • Низкая входная емкость 30 пФ • Низкая утечка на входе и выходе < br> • Миниатюрный корпус • Без галогенов • Низкое напряжение смещения • Работа при низком напряжении • Высокоскоростные цепи • Низкое напряжение ошибки • Небольшая площадь платы < / p>
