C4D02120E, SiC диод Шоттки 2А 1200В [TO-252-2], Cree - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 120 руб.

Сравнить

Описание

SMD SiC-Schottky 1200V 5A TO252
Корпус TO252, Схема включения диодов одиночный, Максимальное обратное напряжение диода 1.2 кВ, Прямой ток диода (средний) 2 А, Прямое падение напряжения 1.8 В, Особенности SiC, Шоттки

Информация

Производитель

Cree

Артикул

C4D02120E

Категория

Шоттки

Номенклатурный номер

1760434

Технические параметры

Конфигурация Диода

Одиночный

Вес, г

0.55

Материал

карбид кремния

Кол-во диодов в корпусе

Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr

1200 В

Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV)

10 А (DC)

Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If

1.8 В при 2 А

Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr

50 мкА при 1200 В

Рабочая температура PN-прехода

-55…+175 C

Корпус

DPAK / SC-63 / TO-252AA (2 Leads + Tab)

Емкость при Vr, F

167 пФ при 0 В, 1 МГц

Техническая документация

Диоды импортные , pdf , 305 КБ
Datasheet C4D02120E , pdf , 802 КБ

C4D02120E, SiC диод Шоттки 2А 1200В [TO-252-2] - характеристики, поставщики

Последняя цена 120 руб.

Техническая документация