Диоды - Шоттки - купить, сравнить

Материал	кремний
Кол-во диодов в корпусе	1
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr	40 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV)	5 А
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If	500 мВ при 5 А
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr	300 мкА при 40 В
Рабочая температура PN-прехода	-65…+150 C
Корпус	DO-214AB / SMC

Диоды с барьером Шоттки, 3–9 А, ON Semiconductor

Сравнить

Материал	кремний
Кол-во диодов в корпусе	1
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr	200 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV)	4 А
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If	860 мВ при 4 А
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr	1 мА при 200 В
Рабочая температура PN-прехода	-55…+150 C
Корпус	DO-214AB / SMC

Диоды с барьером Шоттки, 3–9 А, ON Semiconductor

Сравнить

Материал	кремний
Кол-во диодов в корпусе	1
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr	60 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV)	3 а
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If	740 мВ при 3 А
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr	150 мкА при 60 В
Рабочая температура PN-прехода	-65…+175 C
Корпус	DO-214AB / SMC

Диоды с барьером Шоттки, 3–9 А, ON Semiconductor

Сравнить

Материал	кремний
Кол-во диодов в корпусе	1
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr	40 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV)	3 а
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If	525 мВ при 3 А
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr	2 мА при 40 В
Рабочая температура PN-прехода	-55…+150 C
Корпус	DO-214AB / SMC

Сравнить

Материал	кремний
Кол-во диодов в корпусе	1
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr	40 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV)	4 А
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If	500 мВ при 3 А
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr	2 мА при 40 В
Рабочая температура PN-прехода	-65…+150 C
Корпус	DO-214AB / SMC

Диоды с барьером Шоттки, 3–9 А, ON Semiconductor

Сравнить

• Компактный корпус для поверхностного монтажа с J-образными выводами (SMC)

Сравнить

Материал	кремний
Кол-во диодов в корпусе	1
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr	60 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV)	2 А
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If	630 мВ при 2 А
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr	200 мкА при 60 В
Рабочая температура PN-прехода	-55…+125 C
Корпус	DO-214AA / SMB

Диоды с барьером Шоттки, 1–2 А, ON Semiconductor

Сравнить

Диоды с барьером Шоттки, 1–2 А, ON Semiconductor

Сравнить

Материал	кремний
Кол-во диодов в корпусе	1
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr	90 В
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV)	1 А
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If	750 мВ при 1 А
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr	500 мкА при 90 В
Рабочая температура PN-прехода	-65…+175 C
Корпус	DO-214AA / SMB

Сравнить

Материал	кремний
Кол-во диодов в корпусе	1
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr	40 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV)	1 А
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If	600 мВ при 1 А
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr	1 мА при 40 В
Рабочая температура PN-прехода	-65…+125 C
Корпус	DO-214AA / SMB

Диоды с барьером Шоттки, 1–2 А, ON Semiconductor

Сравнить