Диоды - Шоттки - купить, сравнить


Шоттки

PMEG6010CEH,115, Диод Шоттки 60В 1А, [SOD-123F]
PMEG6010CEH,115, Диод Шоттки 60В 1А, [SOD-123F]
Производитель: Nexperia, PMEG6010CEH,115
Материал кремний
Кол-во диодов в корпусе 1
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 60 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 1 А (DC)
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If 660 мВ при 1 А
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr 50 мкА при 60 В
Рабочая температура PN-прехода -40…+150 C
Корпус SOD-123F
Емкость при Vr, F 68 пФ при 1 В, 1 МГц

Диоды с барьером Шоттки, 1–1,5 А, Nexperia

PMEG4010BEA,115, Диод Шоттки 1А 40В [SOD-323]
PMEG4010BEA,115, Диод Шоттки 1А 40В [SOD-323]
Производитель: Nexperia, PMEG4010BEA,115
Материал кремний
Кол-во диодов в корпусе 1
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 40 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 1 А (DC)
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If 640 мВ при 1 А
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr 100 мкА при 40 В
Рабочая температура PN-прехода -40…+150 C
Корпус SOD-323
Емкость при Vr, F 50 пФ при 1 В, 1 МГц

Корпус SOD323, Схема включения диодов одиночный, Максимальное обратное напряжение диода 40 В, Прямой ток диода (средний) 1 А, Прямое падение напряже…

PMEG4005AEA,115, Диод Шоттки 40В 0.5А [SOD-323]
PMEG4005AEA,115, Диод Шоттки 40В 0.5А [SOD-323]
Производитель: Nexperia, PMEG4005AEA,115
Материал кремний
Кол-во диодов в корпусе 1
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 40 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 500 мА (DC)
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If 470 мВ при 500 мА
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr 100 мкА при 40 В
Рабочая температура PN-прехода -40…+150 C
Корпус SOD-323
Емкость при Vr, F 50 пФ при 1 В, 1 МГц

Диоды с барьером Шоттки, 200–500 мА, Nexperia

PMEG4002EL, Диод Шоттки [SOD-882]
Производитель: NXP Semiconductor, PMEG4002EL

PMEG2010AEB,115, Диод Шоттки 20В 1А [SOD-523]
PMEG2010AEB,115, Диод Шоттки 20В 1А [SOD-523]
Производитель: Nexperia, PMEG2010AEB,115
Материал кремний
Кол-во диодов в корпусе 1
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 20 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 1 А (DC)
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If 620 мВ при 1 А
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr 1.5 мА при 20 В
Рабочая температура PN-прехода -40…+150 C
Корпус SOD-523 / SC-79
Емкость при Vr, F 25 пФ при 1 В, 1 МГц

Диоды с барьером Шоттки, 1–1,5 А, Nexperia

PESD5V0U2BT, Защитный диод 5В [TO-236AB / SOT-23-3]
PESD5V0U2BT, Защитный диод 5В [TO-236AB / SOT-23-3]
Производитель: NXP Semiconductor, PESD5V0U2BT

NSR10F40NXT5G, Диод Шоттки 40V 1A [DSN-2]
NSR10F40NXT5G, Диод Шоттки 40V 1A [DSN-2]
Производитель: ON Semiconductor, NSR10F40NXT5G

• 490 мВ при 1 А Очень низкое падение напряжения в прямом направлении • 10 мкА при 10 В Низкий обратный ток VR • Модель человеческого…

NSR05F30NXT5G, Диод Шоттки 30В 0.5А [DSN-2]
NSR05F30NXT5G, Диод Шоттки 30В 0.5А [DSN-2]
Производитель: ON Semiconductor, NSR05F30NXT5G
Материал кремний
Кол-во диодов в корпусе 1
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 30 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 500 мА (DC)
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If 430 мВ при 500 мА
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr 75 мкА при 30 В
Рабочая температура PN-прехода -40…+150 C
Корпус DSN-2 (0402)

NSR05F30NXT5G является барьером Шоттки, который оптимизирован для маленького падения напряжения в прямом направлении и маленького тока утечки, а…

NSR0530P2T5G, Диод Шоттки 30В 0.5А [SOD-923]
NSR0530P2T5G, Диод Шоттки 30В 0.5А [SOD-923]
Производитель: ON Semiconductor, NSR0530P2T5G

MMBD2838LT1G, Диодная сборка 75V 150mA, [SOT-23-3]
MMBD2838LT1G, Диодная сборка 75V 150mA, [SOT-23-3]
Производитель: ON Semiconductor, MMBD2838LT1G

Импульсные диоды малой мощности, ON Semiconductor