PMEG6010CEH,115, Диод Шоттки 60В 1А, [SOD-123F]
![PMEG6010CEH,115, Диод Шоттки 60В 1А, [SOD-123F]](/file/p_img/1787495.jpg)
Производитель: Nexperia, PMEG6010CEH,115
Материал | кремний |
Кол-во диодов в корпусе | 1 |
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 60 в |
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 1 А (DC) |
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If | 660 мВ при 1 А |
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 50 мкА при 60 В |
Рабочая температура PN-прехода | -40…+150 C |
Корпус | SOD-123F |
Емкость при Vr, F | 68 пФ при 1 В, 1 МГц |
Диоды с барьером Шоттки, 1–1,5 А, Nexperia
PMEG4010BEA,115, Диод Шоттки 1А 40В [SOD-323]
![PMEG4010BEA,115, Диод Шоттки 1А 40В [SOD-323]](/file/p_img/1787494.jpg)
Производитель: Nexperia, PMEG4010BEA,115
Материал | кремний |
Кол-во диодов в корпусе | 1 |
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 40 в |
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 1 А (DC) |
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If | 640 мВ при 1 А |
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 100 мкА при 40 В |
Рабочая температура PN-прехода | -40…+150 C |
Корпус | SOD-323 |
Емкость при Vr, F | 50 пФ при 1 В, 1 МГц |
Корпус SOD323, Схема включения диодов одиночный, Максимальное обратное напряжение диода 40 В, Прямой ток диода (средний) 1 А, Прямое падение напряже…
PMEG4005AEA,115, Диод Шоттки 40В 0.5А [SOD-323]
![PMEG4005AEA,115, Диод Шоттки 40В 0.5А [SOD-323]](/file/p_img/1787493.jpg)
Производитель: Nexperia, PMEG4005AEA,115
Материал | кремний |
Кол-во диодов в корпусе | 1 |
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 40 в |
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 500 мА (DC) |
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If | 470 мВ при 500 мА |
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 100 мкА при 40 В |
Рабочая температура PN-прехода | -40…+150 C |
Корпус | SOD-323 |
Емкость при Vr, F | 50 пФ при 1 В, 1 МГц |
Диоды с барьером Шоттки, 200–500 мА, Nexperia
PMEG2010AEB,115, Диод Шоттки 20В 1А [SOD-523]
![PMEG2010AEB,115, Диод Шоттки 20В 1А [SOD-523]](/file/p_img/1787490.jpg)
Производитель: Nexperia, PMEG2010AEB,115
Материал | кремний |
Кол-во диодов в корпусе | 1 |
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 20 в |
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 1 А (DC) |
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If | 620 мВ при 1 А |
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 1.5 мА при 20 В |
Рабочая температура PN-прехода | -40…+150 C |
Корпус | SOD-523 / SC-79 |
Емкость при Vr, F | 25 пФ при 1 В, 1 МГц |
Диоды с барьером Шоттки, 1–1,5 А, Nexperia
NSR10F40NXT5G, Диод Шоттки 40V 1A [DSN-2]
![NSR10F40NXT5G, Диод Шоттки 40V 1A [DSN-2]](/file/p_img/1785067.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, NSR10F40NXT5G
• 490 мВ при 1 А Очень низкое падение напряжения в прямом направлении • 10 мкА при 10 В Низкий обратный ток VR • Модель человеческого…
NSR05F30NXT5G, Диод Шоттки 30В 0.5А [DSN-2]
![NSR05F30NXT5G, Диод Шоттки 30В 0.5А [DSN-2]](/file/p_img/1785066.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, NSR05F30NXT5G
Материал | кремний |
Кол-во диодов в корпусе | 1 |
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 30 в |
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 500 мА (DC) |
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If | 430 мВ при 500 мА |
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 75 мкА при 30 В |
Рабочая температура PN-прехода | -40…+150 C |
Корпус | DSN-2 (0402) |
NSR05F30NXT5G является барьером Шоттки, который оптимизирован для маленького падения напряжения в прямом направлении и маленького тока утечки, а…
MMBD2838LT1G, Диодная сборка 75V 150mA, [SOT-23-3]
![MMBD2838LT1G, Диодная сборка 75V 150mA, [SOT-23-3]](/file/p_img/1783138.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, MMBD2838LT1G
Импульсные диоды малой мощности, ON Semiconductor