ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SGW25N120FKSA1, Транзистор IGBT, NPT, 1200В, 25А [PG-TO-247-3] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
SGW25N120FKSA1, Транзистор IGBT, NPT, 1200В, 25А [PG-TO-247-3]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
SGW25N120FKSA1, Транзистор IGBT, NPT, 1200В, 25А [PG-TO-247-3]
Последняя цена
680 руб.
Сравнить
Описание
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 46A 313000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Корпус TO-247-3, Напряжение К-Э максимальное 1.2 кВ, Ток коллектора максимальный при 25°C 46 А, Напряжение насыщения К-Э 3.6 В, Максимальная мощность 313 Вт, Заряд затвора 225 нКл, Тип входа стандартный
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
SGW25N120FKSA1
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1790985
Технические параметры
Вес, г
7.5
Максимальное напряжение КЭ ,В
1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
3.6
Корпус
pg-to-247-3
Управляющее напряжение,В
4
Технология/семейство
npt
Наличие встроенного диода
нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
46
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
313
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
730
Рабочая температура (Tj), °C
-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А
84
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
45
Структура
n-канал
Дополнительные опции
выдерживает 10мкс кз
Техническая документация
IGBT транзисторы Infineon , pdf
, 235 КБ
SGW25N120 , pdf
, 385 КБ
Datasheet SGW25N120 , pdf
, 333 КБ